Ｔ-E-057

 電気・電子系

業務内容

 開発・設計・検証評価

 次世代NANDフラッシュメモリー開発における不揮発性メモリー他デバイス開発。
　　　※フラッシュメモリ製造前工程のプロセスエンジニアとして業務を行う。

 1．メモリ・ウェハ関連の経験。

 2．英語スキル（TOEIC600点レベル）

  　外国籍の方は日本語能力必須（文部省日本語検定2級以上）

 3．半導体デバイスメーカー、半導体装置メーカーにおける、デバイス/プロセス各工程

    （プロセス条件出し、装置立ち上げ等の業務経験）のある方。

    （最低でも3年以上。シニアの方はそれ以上。）

 4．メモリプロセス/デバイス（フラッシュ、EEPROM、DRAM、SRAM）に関する深い知識と

    経験がある方。
 【求める人材】

 1．指示を待つのではなく、積極的に自ら仕事に取り組む人。

 2．自らの役割を自覚し、自ら課題を設定し、その課題の解決にまい進できる方。

 3．従来の技術のものの見方にとらわらず、柔軟な発想の出来る人。
 4．好奇心旺盛で、さまざまな問題に取り組める人。

 5．途中で投げ出すことなく、最後まで辛抱強く物事に取り組める人。

 6．情報を自分で解析し、周囲へ発信出来る人。

 7．チームワークで仕事を進められる人。

 勤務地

 8：30-17：15