Ｔ-E-058

 電気・電子系

業務内容

 開発・設計・検証評価

 1．NAND型フラッシュメモリの開発、及び回路設計（センスアンプ、チャージポンプなど）
 2．マイクロプロービング、メモリテスタによる、評価・回路デバッグ。
 3．次世代品のアーキテクチュア開発及び評価。
 4．共同開発パートナーとUS本社とのインターフェス。

 1．理工系修士または学部卒。

 2．少なくとも3年以上の実務経験がある方。

 3．不揮発生メモリ分野での業務経験必須。

 4．アナログ回路、センスアンプ、デコーダ、チャージポンプ、等の設計経験者優遇。

 5．量産レベルの製品開発経験者優遇。

 6．HSPICE、HSIM、Verilog、Opusなどの設計ツール経験必須。

 7．共同開発経験者優遇。
【求める人材】

 1．指示を待つのではなく、積極的に自ら仕事に取り組む人。

 2．自らの役割を自覚し、自ら課題を設定し、その課題の解決にまい進できる方。

 3．従来の技術のものの見方にとらわらず、柔軟な発想の出来る人。　

 4．好奇心旺盛で、さまざまな問題に取り組める人。

 5．途中で投げ出すことなく、最後まで辛抱強く物事に取り組める人。

 6．情報を自分で解析し、周囲へ発信出来る人.

 7．チームワークで仕事を進められる人。

 勤務地

 8：30-17：15